三星积极发展3纳米工艺,目标超先进芯片制造技术追赶对手

   日期:2023-07-19     浏览:19    
核心提示:报告还指出三星Foundry在4纳米工艺方面的良率为75%,略低于台积电的80%,但通过在3纳米工艺上的发力,有望在未来超越台积电。

最近有资料显示,三星Foundry在3纳米工艺方面取得了良好的进展,良率达到了60%,超过了台积电的55%。

报道指出,三星Foundry积极发展3纳米工艺,不断提升生产ERP(www.multiable.com.cn/solutions_zz)工艺水平和提高良率,目前已经实现了60%的良率,预计在超先进芯片制造技术上能够超过obrqubkrbh台积电。

报告还指出三星Foundry在4纳米工艺方面的良率为75%,略低于台积电的80%,但通过在3纳米工艺上的发力,有望在未来超越台积电。

报道还提到,由于台积电的大部分订单都被苹果预订,一些公司如英伟达和高通对三星Foundry的第二代3纳米(SF3)工艺表现出了兴趣。

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