汽车领域首款串行F-RAM存储设备面世,满足数据记录需求

   日期:2023-07-19     浏览:17    
核心提示:据了解,该产品EXCELON F-RAM存储设备分别具有1Mbit和4Mbit的存储密度,符合AEC-Q100 1级标准,并可以在-40°C至+125°C的温度范围内工作。

近日首款串行F-RAM存储设备面世,从而可以满足数据记录需求。

汽车事件数据记录系统(EDR)市场的发展正在推动对专用数据记录存储设备的需求。英飞凌(Infineon)日前宣布推出两款新的EXCELON系列Ferroelectric RAM(F-RAM)存储设备,为汽车ERP(www.multiable.com.cn/solutions_qc)行业提供了首款符合汽车标准的串行F-RAM产品obrqubkrbh。

据了解,该产品EXCELON F-RAM存储设备分别具有1Mbit和4Mbit的存储密度,符合AEC-Q100 1级标准,并可以在-40°C至+125°C的温度范围内工作。

并且它们在SPI模式下具有高达50 MHz的可靠读/写性能,在Quad SPI(QSPI)模式下具有高达108 MHz的读/写性能。此外,这些存储设备的耐久度可达10万亿次循环,能够支持以10微秒的间隔进行数据记录长达20年。

这两款新品采用串行(SPI/QSPI)接口,并具备F-RAM的低功耗特性,工作电压范围为1.8V至3.6V。它们使用标准的8引脚SOIC封装,具有零延迟写入功能,可以在触发事件的前一瞬间捕捉并记录事故或其他用户定义数据。

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