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品牌： |
ELITECHIP |
所在地： |
广东 深圳市 |
起订： |
≥3000 PCS |
供货总量： |
1000000 PCS |
有效期至： |
长期有效 |
工作电压： |
4.2V |
型号： |
4054(LTH7R) |
封装： |
SOT23-5 |
详情介绍
LTH7R座充充电管理 IC
一、 概述
LTH7R.是恒流/恒压座充充电器芯片，主要应用于单节锂电池充电。无需外接检测电阻，其内部为 MOSFET结构，因此无需外接反向二极管。
LTH7R.在大功率和高环境温度下可以自动调节充电电流以限制芯片温度。它的充电电压固定在 4.2V，充电电流可以通过外置一个电阻器进行调节。当达到浮充电压并且充电电流下降到设定电路的 1/10 时，LTH7R.自动终止充电过程。当输入电压移开之后，LTH7R.自动进入低电流模式，从电池吸取少于 2uA 的电流。当 LTH7R.进入待机模式时，供电电流小于 70uA。
LTH7R.还可以监控充电电流，具有电压检测、自动循环充电的特性，并且具有一个指示管脚指示充电终止状态和输入电压状态。
二、 特性
Ø 可达 500mA的可编程充电电流
Ø 无需外接 MOSFET、检测电阻、反向二极管
Ø 恒流/恒压模式操作，具有热保护功能
Ø 可通过 USB端口为锂电池充电
Ø 具有 1%精度的预设充电电压
Ø 待机模式下电流为 70uA
Ø 2.9V涓流充电电压
Ø 软启动限制了浪涌电流
Ø 采用 SOT23-5封装
三、 产品应用
Ø 手机、掌上电脑、MP3播放器
Ø 蓝牙耳机
|
PROG VCC 5 4 |
符号 |
名称 |
功能说明 |
|
|
|
1 |
CHRG |
充电指示端 |
|
|
|
2 |
GND |
地 |
|
|
1 2 3 |
3 |
BAT |
充电电流输出端 |
|
|
4 |
VCC |
电源输入端 |
||
|
|
||||
|
CHRG GNDBAT |
||||
|
SOT23-5 |
5 |
PROG |
外部编程充电电流端 |
六、 绝对最大额定值
|
参数 |
符号 |
额定值 |
单位 |
|
输入电源电压 |
VCC |
7 |
V |
|
PROG 电压 |
VPROG |
VCC+0.3 |
V |
|
BAT 电压 |
VBAT |
7 |
V |
|
CHRG 电压 |
VCHRG |
7 |
V |
|
BAT 短路 |
|
Continuous |
|
|
热阻 |
θJA |
250 |
℃/W |
|
BAT 电流 |
IBAT |
500 |
mA |
|
PROG 电流 |
IPROG |
800 |
µA |
|
最高结温 |
TJ |
110 |
℃ |
|
储藏温度 |
TS |
-65 to +125 |
℃ |
|
焊接温度（不超过 10 秒） |
|
260 |
℃ |
Ø 充电电流外部编程：PROG（引脚5）：恒流充电电流设置和充电电流监测端。从PROG管脚连接一个外部电阻到地端可以对充电电流进行编程。在预充电阶段，此管脚的电压被调制在 0.1V；在恒流充电阶段，此管脚的电压被固定在 1V。在充电状态的所有模式，测量该管脚的电压都可以根据下面的公式来估算充电电流：
七、电气特性（VIN=5V；TJ=25℃，除非另有说明）
|
符号 |
参数 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
|
VCC |
输入电源电压 |
|
4.5 |
5.0 |
5.5 |
V |
|
ICC |
输入电源电流 |
充电模式（3），RPROG=10K |
|
50 |
300 |
µA |
|
待机模式（充电终止） |
|
70 |
|
µA |
||
|
关断模式（RPROG未连接， VCC﹤VBAT，VCC﹤VUV） |
|
38 |
100 |
µA |
||
|
VFLOAT |
可调输出（浮充）电压 |
IBAT=30 mA，ICHRG=5 mA A：4.2-4.28V； B：4.17-4.205V |
4.16 |
4.24 |
4.28 |
V |
|
IBAT |
BAT 端电流 |
RPROG = 10k,电流模式 |
90 |
110 |
130 |
mA |
|
RPROG = 2k,电流模式 |
465 |
500 |
535 |
mA |
||
|
VBAT=4.2V，待机模式 |
0 |
+/-1 |
+/-5 |
µA |
||
|
关断模式, RPROG未连接 |
|
+/-0.5 |
+/-5 |
µA |
||
|
休眠模式，VCC=0V |
|
+/-1 |
|
µA |
||
|
ITRIKL |
涓流充电电流 |
VBAT﹤VTRIKL，RPROG = 10k |
|
15 |
|
mA |
|
VTRIKL |
涓流充电阈值电压 |
RPROG = 10k，VBAT Rising |
2.8 |
2.9 |
3.0 |
V |
|
VUV |
VCC 欠压锁定阈值 |
VCC 从低到高 |
|
3.8 |
|
V |
|
VUVHYS |
VCC 欠压锁定滞后 |
VCC 从高到低 |
|
200 |
|
mV |
|
VASD |
VCC-VBAT 阈值电压 |
VCC 从低到高 |
|
100 |
|
mV |
|
VCC 从高到低 |
|
30 |
|
mV |
||
|
ITERM |
C/10Z 终止电流阈值 |
RPROG = 10k(4) |
|
0.1 |
|
mA/mA |
|
RPROG = 2k |
|
0.1 |
|
mA/mA |
||
|
VPROG |
PROG 端电压 |
RPROG = 10k,电流模式 |
0.9 |
1.03 |
1.1 |
V |
|
ΔVRECHRG |
电池阈值电压 |
VFLOAT - VRECHRG |
|
150 |
|
mV |
|
TLIM |
热保护温度 |
|
|
130 |
|
℃ |
注：
1、 超出最大工作范围可能会损坏芯片。
2、 超出器件工作参数极限，不保证其正常功能。
3、 电源电流包括 PROG端电流（大约 100uA），不包括通过 BAT端传输到电池的其他电流 。
4、 充电终止电流一般是设定充电电流的 0.1 倍。
八、 波形图
九、 封装尺寸图
|
规格 |
||||
|
尺寸 |
英寸 |
毫米 |
||
|
最小值 |
最大值 |
最小值 |
最大值 |
|
|
A |
0.110 |
0.120 |
2.80 |
3.05 |
|
B |
0.059 |
0.070 |
1.50 |
1.75 |
|
C |
0.036 |
0.051 |
0.90 |
1.30 |
|
D |
0.014 |
0.020 |
0.35 |
0.50 |
|
E |
— |
0.037 |
— |
0.95 |
|
F |
— |
0.075 |
— |
1.90 |
|
H |
— |
0.006 |
— |
0.15 |
|
J |
0.0035 |
0.008 |
0.090 |
0.20 |
|
K |
0.102 |
0.118 |
2.60 |
3.00 |
